업계 대규모 투자로 정부 전략에 화답

‘50조 투자’ 평택 3라인 내년 조기 완공
14나노 D램·5나노 로직 등 최첨단 생산
SK하이닉스 파운드리 생산능력 2배로
비메모리 분야 M&A 등 투자방안 검토정부가 13일 발표한 ‘K반도체 벨트’ 구축 전략에 맞춰 같은 날 삼성전자는 시스템 반도체 분야 투자 확대와 평택 3라인의 조기 완공 등으로 화답했다. 글로벌 반도체 패권 경쟁의 심화 속에 투자의 ‘규모와 속도’에서 모두 ‘초격차’ 전략을 강화하겠다는 의미다.

삼성전자는 이날 평택캠퍼스에서 열린 ‘K반도체 벨트 전략 보고대회’에서 2030년까지 시스템반도체 분야에 기존 계획에서 38조원을 추가해 총 171조원을 투자하겠다고 발표했다. 삼성은 앞서 2019년 4월 ‘시스템반도체 비전 선포식’에서 133조원의 투자 계획을 밝힌 바 있는데, 이를 더욱 확대하겠다는 것이다. 삼성전자는 이를 통해 첨단 파운드리(위탁생산) 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다.

파운드리 시장 부동의 1위인 대만 TSMC가 미국에 6개의 공장을 신설할 것으로 알려지는 등 경쟁사들이 최근 더욱 공세적인 움직임을 보이는 가운데 삼성은 이번 투자 확대 발표를 계기로 조만간 미국 공장 증설 등 구체적인 계획을 밝힐 것으로 예상된다.투자비가 50조원 이상으로 예상되는 평택 3라인(P3)의 구체적인 가동 시점도 이날 처음 공개됐다. 삼성전자는 현재 공사 중인 평택 3라인을 2022년 하반기에 완공해 본격적인 생산에 들어갈 것이라고 밝혔다. 이곳에서는 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 비롯한 최첨단 공정의 반도체가 생산될 예정이다. 삼성이 이례적으로 생산 품목까지 언급한 것은 첨단 기술력이 집약된 생산이 이뤄짐을 강조하기 위한 것으로 해석된다.

평택 3라인이 완공되면 세계 최대의 반도체 클러스터로서 위상을 드러낼 것으로 예상된다. 공장 길이는 700m로 2라인(400m)의 1.75배 수준이고, 반도체를 생산하기 위한 청정공간인 클린룸의 규모는 축구장 면적 25개를 합친 크기로, 단일 반도체 라인으로는 세계 최대 규모다.

이날 SK하이닉스도 8인치 파운드리 생산 능력을 현재보다 2배로 확대한다는 목표를 밝히는 등 공격적인 투자 의지를 밝혔다. 박정호 SK하이닉스 대표이사 부회장은 이날 “국내 설비 증설과 인수합병(M&A) 등 다양한 전략적 방안을 검토하겠다”고 밝혀 조만간 이와 관련한 공식 발표가 있을 것임을 내비쳤다. 특히 박 부회장 주도로 2017년 일본 키옥시아 투자와 지난해 인텔 낸드사업 인수를 성사시킨 SK하이닉스는 조만간 비메모리 분야 M&A에 뛰어들 것으로도 예상된다.

양사는 설계와 소재부품장비(소부장) 등 국제 경쟁력이 떨어지는 분야에서 국내 업체들과 협력을 강화하겠다고도 했다. 삼성전자는 향후 팹리스(반도체 설계회사)를 대상으로 설계자산(IP) 공유 및 시제품 생산 지원을 더욱 확대하기로 하고, 공급망 핵심인 소부장 업체들과의 협력도 더욱 늘리기로 했다. SK하이닉스는 파운드리 사업 투자로 팹리스들의 기술 개발·양산 및 시장 진출을 돕겠다고 밝혔다.

안석 기자 sartori@seoul.co.kr